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当我们大谈即将到来的“融合”时代之时,通信界却给“融合”这个词赋予了新的含义,即指通信系统内部光技术和电子技术的融合。这种系统级的观点也正在影响通信元件。事实上,光元件设计正逐渐呈现出基于硅的集成电子芯片设计的许多特征。
Tony Grewe
企业战略部主任
Sharon K
战略部高级经理
SputzClarence Joh
技术部高级经理
Agere Systems公司
随着基于光纤技术的设备从网络核心向外扩展并成为长距离网络、城域网、海底网络以及接入网的基础,几大因素正推动着光元件和通信IC走向融合。主要的推动因素有以下几方面:
推动并受益于上述几个因素的三个关键市场领域包括密集波分复用(DWDM)、光核心/城域交换机以及边缘路由器。目前,一个DWDM系统已可用不同波长的光传递80或更多独立信道的信息,每个波长传递数据的速率为10Gbps。不过,随着技术的进步,已经出现160条信道且速率接近40Gbps的DWDM系统。不论是光核心/城域交换机还是边缘路由器,它们都是光-电-光(O-E-O)形式,在接合点上,以光子传输的数据必须转换成电子,以便进行路由、交换和其它智能化操作。光核心/城域交换机把信息从一个网络传输到另一个网络,通常需要把一个输入的“粗管道”分解成多个细管道,再把每个细管道的光信号转换成要进行处理和交换的电子信号,然后再进行逆转换过程。随着光传输速率的提高,通信半导体业必须推出能处理更高速度的相应器件和架构,以便处理更高的数据率(如40Gbps)。光边缘路由器领域也正发生类似的转变,分插多路复用器(ADM)可以允许网络供应商把传输数据加入到核心网,或把某个数据流从核心网分流到一个局域网。另外,这种设备必须适应核心网络运行速度日益增长的趋势。
光元件和电子电路集成的发展之路与以往的技术进步曲线相比,虽有相同之处但又有所不同。一方面是在半导体工艺技术上,线宽的不断减小,推动着性能的提升、成本及尺寸的下降。与线宽相对独立的另一个方向是,半导体工艺也在从硅向锗化硅、磷化铟、铌化锂和其它基底化合物材料及混合掺杂物方向发展,以便支持所需的交换速度。虽然磷化铟材料技术过去已广泛应用于光元件领域,但未来的工艺将依赖于对复合材料、工艺和系统级设计的整体了解,以便在单一器件中以最优的方式集成并封装IC和光电功能。
一个相关的问题是“混合信号技术”,这个术语通常是指在同一块裸片上混合集成了模拟和数字电路,但它也适用于把光元件(激光器、光电二极管等)和电子电路(放大器、信号调节器)放在同一块裸片上的情况。光/电子电路“混合信号”功能目前可以集成模块(多块裸片同时封装在同一个衬底上)的形式实现,Agere等公司就在生产并销售这类产品。很多供应商也正在尝试把光元件与相关的全部电子驱动器和电路集成到同一个衬底上。不少公司曾经帮助快速增长的调制解调器和手机市场向集成度越来越高的方向发展,并推动了单芯片解决方案的发展。同样,这些公司也将长期推动光电器件市场的发展,并引领开发高速网络的未来集成化构造模块。
第三个发展中的工艺技术是制造技术。基于光技术的产品装配是供应商和OEM厂商面临的最困难的挑战之一。电子领域是通过导线完成连接,但在光领域要靠光纤、自由空间或波导来引导光传输。通过更高集成度的元件和减少光纤附件来降低光连接的复杂性,这是推动该行业发展的重要出路。此外,现在的大部分光产品需要手工装配,但众所周知,半导体行业的自动生产和装配操作是降低成本并大大提高产品一致性和可靠性的关键因素。自动化操作也是实现高产能力的基本条件。
技术创新的快节奏、产品生命周期的日益缩短以及网络和通信元件复杂度的日益提高,迫使客户需要将光电元件和IC集成的解决方案。这些光电集成化解决方案能减少开发新通信设备的时间和成本。因此,目前处于光电技术通信系统市场前沿领域的系统设计公司和OEM厂商,有必要寻找在四个不同的领域具有专门技术和多项专长的合作伙伴。电子专长,不管是工艺方面还是设计方面,对未来都至关重要,因为光网络的高速度将继续推动IC性能提高以突破网络的瓶颈;光电专长将在设计下一代产品中继续发挥重要作用,不仅像下一代DWDM这样的新器件将推动光传输性能的提高,而且和电子的更紧密集成也将进一步改善下一代设备的散热、功率、体积以及成本方面的限制。只有同时具备电子和光电专长的制造商才能在推动光电集成化发展的道路上占据一席之地。
那些同时具备半导体制造和工艺技术专长,且愿意推动自动生产设备发展的公司将能够利用他们在光领域和电子领域的专长生产出下一代模块,为OEM和系统设计者带来切实的利益。最后,随着核心网络和边缘网络性能朝着越来越高的方向发展,在设计涉及以太网、ATM、IP、SONET、光线信道的基础架构产品,以及开发推动接入网、城域网以及广域网市场中的下一代通信系统发展的其它技术时,通信系统知识将变得至关重要。
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